美光将斥资至多八千亿日元，新建广岛EUV光刻DRAM内存晶圆厂

5月28日消息，据日媒报道，美光将斥资 6000~8000 亿日元（当前约277.2~369.6亿元人民币），在日本广岛建设新的DRAM内存晶圆厂。该晶圆厂将引进EUV光刻机，计划于2026年初动工，有望于2027年末正式投产。

美光将在2025年量产的下代1-gamma (nm) 节点正式导入EUV光刻技术。考虑到DRAM行业的代际周期，美光广岛新工厂届时将具备生产1-gamma乃至1-delta DRAM的能力。

报道指，美光原计划在今年就启动新晶圆厂的运行，这样就能在2025年量产后的第一时间扩充1-gamma DRAM制造能力。但由于此前半导体行业，尤其是存储领域的衰退，美光对投资计划进行了调整，放缓了产能扩张的速度。

美光建设新厂的部分开支将来源于日本经济产业省的补贴，这笔资金至高可达1920亿日元（当前约88.7亿元人民币）。