凯侠发布Twin BiCS新技术 PLC闪存越来越近了

为了进一步提高SSD容量、降低成本，闪存厂商开始推100+层堆栈的3D闪存，但是层数越多，制造难度也会增加，而且还要在每个单元内容纳更多的存储电位，挑战很大。

凯侠推出的Twin BiCS闪存是全球首个3D半圆形分裂浮栅极闪存单元，从这个比较拗口的专业名词中可以看出它使用的技术主要有半圆形、分裂、浮栅极，简单来说就是将传统的浮栅极分裂为两个对称的半圆形栅极，利用曲率效应提高闪存P/E编程/擦除过程中的性能。

Twin BiCS闪存的P/E操作性能对比

虽然新型闪存中也有BiCS的字样，但是现在的BiCS闪存是基于CTP电荷捕捉原理的，在进入3D闪存时代之后，几乎所有闪存厂商都转向了制造更简单的CTP技术而放弃了FG浮栅极技术，最后坚持的两家厂商中——美光在96层闪存之后也会放弃浮栅极技术，只有Intel还在坚持FG浮栅极技术，后者性能、可靠性更好，但是制造工艺复杂。

东芝的Twin BiCS闪存技术现在又回到了浮栅极技术路线上来了，未来有可能改变全球闪存技术的走向。