台积电称2纳米生产将在2025年开始 先进高NA光刻机将于2024年到货

台积电还将在2024年收购ASML的高NA EUV芯片制造机。这些细节是由台积电负责研发和技术的高级副总裁Y.J. Mii博士分享的，由联合新闻（UDN）报道。芯片制造行业的一个关键制约因素，也往往成为决定一家公司是否能获得对其竞争对手的领先优势的关键因素。

涵盖先进的7纳米和更小产品的制造技术需要使用极紫外光刻机（EUV）在小范围内打印数十亿个微小电路，全球目前只有台积电、三星和英特尔公司在使用--然而，芯片制造技术的进一步进步，涉及到电路尺寸的进一步缩小，将使芯片制造商难以继续使用这些机器。

芯片制造的下一阶段，制造商将转向具有更大镜头的机器。这些被称为高NA（数字孔径），台积电将在2024年收到它们。由此看来，这些机器将被用来制造2纳米制造工艺的芯片，因为这位高管还强调，这项技术将在2025年进入大规模生产。该时间表证实了该公司在今年早些时候在美国举行的第一次技术研讨会上提供的早期估计，该公司正在美国建设一个全新的工厂，暂定目标是在2024年前生产5纳米芯片。

自从在美国举办会议以来，台积电还在亚洲举行了其他活动以分享2纳米制造技术的细节。这些活动显示，截至目前，该公司的目标是使其新技术比目前最新的3纳米技术提高10%至15%的性能；此外，新技术还能降低25%至30%的功耗。

另一位台积电高管透露，当他的公司在2024年获得这些机器时，最初它们将只用于研发和合作目的，然后再转入大规模生产。获得先进的机器只是获得这些有价值的资本资产的第一步，因为企业随后必须与机器的唯一制造商--荷兰ASML公司合作，将机器调整到他们想要的要求。

这些最新的细节是在本月早些时候举行的台积电台湾技术论坛上由高管们分享的，在该活动中，他们还概述了3纳米芯片制造的进展。他们概述了第一代3纳米技术有望在今年生产，而被称为N3E的先进版本将在明年投入生产线。

台积电的3纳米技术今年一直处于几个争议的中心，因为它的竞争对手三星公司抢先宣布在今年上半年进行大规模生产，而且市场报告称，由于英特尔公司的订单问题，台积电将削减资本支出。