这五代工艺分别是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A及Intel 18A,其中Intel 7就是去年底12代酷睿上首发的工艺,13代酷睿也会继续用,明年则会升级Intel 4,首次支持EUV光刻工艺。
不过Intel真正在工艺上再次领先的是20A及18A两代工艺,从20A开始进入埃米级节点,放弃FinFET晶体管,改用GAA晶体管,相当于友商的2nm、1.8nm水平。
同时Intel也会在20A、18A上首发两大突破性技术,也就是RibbonFET和PowerVia,其中RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现,它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。
该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。
PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。
在这次创新大会上,Intel CEO基辛格还透露了18A工艺的最新进展,今年底将会有首款芯片流片,虽然他没有提及具体的芯片型号,但能够走到流片这一步,意味着Intel的“1.8nm”工艺已经有相当高的成熟度了。
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