售价25亿的“电老虎” 下代EUV光刻机功耗飙到200万瓦

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光刻机制造芯片的关键指标就是光刻分辨率，其中镜头的NA数值孔径越大越好，现在NA 0.33孔径的EUV光刻机能够量产3nm、2nm工艺，再往后就需要NA 0.55孔径的下一代光刻机，也就是High NA EUV，制造2nm以下的工艺必需。

High NA EUV预计在明年开始出样机给客户，这一次Intel先下手为强，抢购了首批的High NA EUV光刻机，据说单价超过3.4亿美元，约合25亿了。

但High NA EUV的最终价格还不确定，未来可能达到4亿美元，超过28亿人民币了。

High NA EUV光刻机不仅是本身昂贵，使用成本也越来越高，因为功耗还会继续涨，ASML最近证实High NA EUV光刻机会额外消耗0.5WM功耗，加上目前的1.5MW功耗，下一代光刻机的总功耗将达到2MW，也就是200万瓦的水平。

如果一天24小时运转，那么下代光刻机每天就要消耗4.8万度电，这个成本对芯片制造企业来说是非常高的，绝对的电老虎。

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