据悉,3nm是目前台积电最先进的制程,相较于5nm,基于N3E工艺的芯片密度高出1.3倍,逻辑门密度增加1.6倍,在相同功耗下速度提升15-20%,或在相同速度下功耗降低30-35%。
3nm系列的创新主要在于其使用FINFLEX技术,可以在提升密度的情况下维持速度和功耗的平衡。相关逻辑测试芯片及3nm 256Mb SRAM(静态随机存取存储器)良率达到80%左右,预估初期良率会优于5nm N5制程初期。
值得注意的是,三星目标是在2025年迎头赶上台积电,2027年实现超车。传闻三星将会在2025年量产2nm,2027年量产1.4nm,同时希望能拿到苹果订单。